LA MEMORIA FLASH ES UNA MANERA DESARROLLADA DE LA MEMORIA EEPROM QUE PERMITE QUE MÚLTIPLES POSICIONES DE MEMORIA SEAN ESCRITAS O BORRADAS EN UNA MISMA OPERACIÓN DE PROGRAMACIÓN MEDIANTE IMPULSOS ELÉCTRICOS, FRENTE A LAS ANTERIORES QUE SÓLO PERMITE ESCRIBIR O BORRAR UNA ÚNICA CELDA CADA VEZ. POR ELLO, FLASH PERMITE FUNCIONAR A VELOCIDADES MUY SUPERIORES CUANDO LOS SISTEMAS EMPLEAN LECTURA Y ESCRITURA EN DIFERENTES PUNTOS DE ESTA MEMORIA AL MISMO TIEMPO.
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